Detalhes do Produto
Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
Características
Características
- Encriptação de hardware
- Velocidade de leitura7450 MB/s
- Velocidade de escrita6900 MB/s
- InterfacePCI Express 4.0
- FormatoM.2
- NVMe
- Versão NVMe2.0
- Funcionalidade DevSlp (temporizador de modo de espera)
- Codificação / segurança256-bit AES
- Tamanho do SSD M.22280 (22 x 80 mm)
- MTBF1500000 h
- Capacidade1 TB
- Tipo de memóriaV-NAND MLC
- Compatível com S.M.A.R.T.
- Suporte TRIM
- Escrita aleatória (4KB)1550000 IOPS
- Leitura aleatória (4KB)1200000 IOPS
- FormatoPC
Pesos e dimensões
- Altura24,3 mm
- Largura80 mm
- Profundidade8,2 mm
- Peso28 g
Unidade de disco
- Capacidade do Disco1 TB
Condições ambientais
- Temperatura de funcionamento (T-T)0 - 70 °C
- Choque operacional1500 G
Gestão de energia
- Voltagem operativa3,3 V
- Consumo de energia (máx)7,8 W
- Consumo de energia (média)5,4 W
Código de barras:8806094594645
Referência:MZ-V9P1T0GW | 8806094594645 | S7193621
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