Detalhes do Produto
FICHA TÉCNICAMarcaSAMSUNGModelo850 EVO - 500 GBCapacidade500GBDimensões(W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)Interface- SATA 6Gb/s - SATA 3Gb/s - SATA 1.5Gb/sFormato2.5 inchController 500Samsung MGX controllerNAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NANDSíDRAM Memoria Caché512MB (500GB)Rendimento- Leitura Sequencial Max. 540 MB/s - Escrita Sequencial Max. 520 MB/s - 4KB Leitura Aliatoria(QD1) - Max. 10,000 IOPS - 4KB Escrita Aliatoria (QD1) - Max. 40,000 IOPS - 4KB Leitura Aliatoria (QD32) - Max. 98,000 IOPS(500GB) - 4KB Escrita Aliatoria (QD32) - Max. 90,000 IOPS(500GB)CifradoAES 256-bit Encriptado completo (FDE)TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)SíPeso66gVIda Utíl MTBF1.5 million horasTBW 500150TBWIdleMax. 50mWModo Hibernação2mW(500GB)Temperatura- Operativa: 0°C to 70°C - No Operativo: -40°C to 85°CHumidade5% a 95% No-condensadaVibração não operativa20~2000Hz, 20GGolpe Não operativo1500G, duration 0.5m sec, 3 axis
Características
Condições ambientais
- Temperatura de funcionamento (T-T)0 - 70 °C
- Humidade de não funcionamento5 - 95 %
- Choque operacional1500 G
- Choque não operacional1500 G
- Vibração não operacional20 G
- Humidade relativa de funcionamento (H-H)5 - 95 %
- Limite de temperaturas (armazenamento)-40 - 85 °C
Características
- Taxa de transferência de dados6 Gbit/s
- Velocidade de leitura540 MB/s
- Velocidade de escrita520 MB/s
- InterfaceSerial ATA III
- Formato2.5"
- Tamanho do buffer da unidade de armazenamento512 MB
- Codificação / segurança256-bit AES
- MTBF1500000 h
- Capacidade500 GB
- Tipo de memóriaMLC
- Compatível com S.M.A.R.T.
- Sistema operativo Windows compatível
- Suporte TRIM
- Escrita aleatória (4KB)90000 IOPS
- Leitura aleatória (4KB)98000 IOPS
Gestão de energia
- Consumo de energia (inativo)0,045 W
- Consumo de energia (leitura)0,1 W
- Consumo de energia (escrita)0,1 W
Pesos e dimensões
- Altura6,8 mm
- Largura69,8 mm
- Profundidade100 mm
- Peso55 g
Outras características
- CorPreto
- Instalação
Mídia de armazenamento
- Capacidade total de armazenamento500 GB